瑞萨电子RE微处理器荣获全球电子技术领域2019年

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  • 2019-11-15

  独有的SOTB™制程工艺的能量收集嵌入式控制器产品获得年度微控制器产品奖。

  2019 年 11 月 14 日,★△◁◁▽▼中国深圳讯 – 全球领先的半导体解决方案供应商瑞萨电子株式会社(TSE:6723)今日宣布,基于瑞萨独有的SOTB™(Silicon on Thin Buried Oxide 薄氧化埋层覆硅)制程工艺的能量收集嵌入式微控制器(MCU)RE荣获由全球电子技术领域知名媒体集团Aspencore评选出的2019年度MCU产品奖。该奖项此次共收到来自行业内知名半导体供应商的100多款候选产品,通过Aspencore编辑的评估,挑选出10多款产品入围,最终RE脱颖而出,获得该产品奖。

  瑞萨能量收集芯片RE采用了革命性SOTB制程工艺,该技术可帮助用户同时实现低工作电流和待机电流,以及低压下高速运行。瑞萨电子于10月31日正式发布的RE家族首个产品组RE01的32位CPU内核使用户能够在环境能量场中(例如光、振动或液体流动),为仅需微量能量的设备提供动力,从而实现智能功能。SOTB嵌入式控制器在生物监测器或室外环境传感应用中,可从信号数据中排除噪声,使应用程序执行高精度传感和数据判断。因为免除了大量应用中对电池维护的需求,为现实生活中实现万物互联提供了直接的帮助。如需了解有关瑞萨电子基于SOTB的RE产品家族更多信息,请访问此处。

  瑞萨电子株式会社高级副总裁,瑞萨电子中国董事长真冈朋光表示:“RE可以获得此次年度MCU类产品奖,我们感到非常自豪。基于SOTB制程工艺的超低功耗功能非常适合用于物联网领域。通过环境能源发电、以及传感器与无线器件的组合,RE将为多种多样的面向物联网领域的应用开发做出贡献。”

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